4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK® SO-8L, PowerPAK® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 99 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 524 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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876En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
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Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 29 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET
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2 525En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 - 8 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 208 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
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1 993En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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2 158En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 53 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A
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Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 700 V 47 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 266 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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3 264En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.2 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET
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3 699En existencias
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 34 A 59 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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1 198En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel