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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Comentarios de Producto
511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
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953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 34A
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355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
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3 000Se espera el 8/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power
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No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET