Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
10 208 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10 097 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
452 En existencias
1 000 En pedido
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Si
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
651 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
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1 Channel
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180 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
3 279 En existencias
Embalaje alternativo
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₡1 238,71
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Min.: 1
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2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 181,46
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
826 En existencias
1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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- 20 V, 20 V
3.3 V
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
1 446 En existencias
1
₡1 644,67
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1 000
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4 800
Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
25 V
220 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 483,33
159 En existencias
6 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
159 En existencias
6 000 En pedido
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159 Se puede enviar inmediatamente
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3 000 Se espera el 1/10/2026
3 000 Se espera el 25/2/2027
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11 Semanas
1
₡1 483,33
10
₡952,45
100
₡650,58
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₡551,69
1 000
₡456,45
2 000
₡435,63
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Min.: 1
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1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 603,03
376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 603,03
10
₡796,31
100
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₡515,78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
₡1 171,05
2 982 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2 982 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 171,05
10
₡744,27
100
₡499,65
500
₡404,92
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Ver
5 000
₡325,81
1 000
₡362,76
2 500
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5 000
₡325,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
₡650,58
3 067 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3 067 En existencias
Embalaje alternativo
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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SMD/SMT
TSDSON-8
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