20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

Resultados: 43
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
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39 377En existencias
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
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7 506En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 83 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
Hoja de datos
1 682En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
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9 404En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
8 483En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 44 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
5 150En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
6 489En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
9 978En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
4 026En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 142 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
3 200En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 84 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
4 688En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8
Hoja de datos
3 746En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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564En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 243 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
Hoja de datos
1 153En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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25 376En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5 582En existencias
9 700Se espera el 9/4/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 89 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
11 966En existencias
9 000Se espera el 26/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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7 752En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 49 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
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8 420En existencias
5 000Se espera el 26/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
7 552En existencias
2 200Se espera el 26/2/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
10 958En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
7 073En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
5 862En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 106 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
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4 456En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5 814En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 64 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel