Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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SMD/SMT

DFN3333-8L

P-Channel

1 Channel

60 V

38 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

DFN3333-8

P-Channel

1 Channel

60 V

25 A

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2.5 V

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+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

DFN3333-8

P-Channel

60 V

13 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

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31 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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1 Channel

60 V

68 A

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- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

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PJA3461S-AU_R1_007A1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

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SOT-23-3

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1.1 nC

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Enhancement

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SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

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2.5 V

1.1 nC

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+ 150 C

350 mW

Enhancement

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60 V

- 20 V, 20 V

2.5 V

- 55 C

+ 150 C

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TO-252AA-3

P-Channel

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60 V

15 A

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17 nC

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Enhancement

AEC-Q101

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AEC-Q101

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PJD9P06A-AU_L2_000A1
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AEC-Q101

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4.2 A

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AEC-Q101

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PJQ4465AP-AU_R2_000A1
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PJQ4465AP-AU_R2_000A1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ44609AP-AU_R2_002A1
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: 5 000

SMD/SMT

DFN3333-8L

P-Channel

1 Channel

60 V

18 A

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJW4P06A-AU_R2_007A1
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PJW4P06A-AU_R2_007A1

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₡100,30

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: 2 500

SMD/SMT

SOT-223-3

P-Channel

1 Channel

60 V

4 A

130 mOhms

20 V

2.5 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3439-AU_R2_000A1
Panjit
12 000: ₡34,15
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₡34,15

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: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

13 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJA3461-AU_R1_000A1
Panjit
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

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1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3461-AU_R2_000A1
Panjit
12 000: ₡68,31
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PJA3461-AU_R2_000A1

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241-PJA3461AUR2000A1

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: 12 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJC7439-AU_R2_000A1
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₡26,02

Min.: 12 000
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: 12 000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

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AEC-Q101

Reel

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PJQ2463A-AU_R1_000A1
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3.2 A

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