Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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OptiMOS
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SMD/SMT
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17 856 En existencias
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SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6 839 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6 045 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
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NRND
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2 976 En existencias
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Si
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4 832 En existencias
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Si
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
1 268 En existencias
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Si
Through Hole
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N-Channel
1 Channel
80 V
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S222ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
1 156 En existencias
Embalaje alternativo
1
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1 000
₡420,70
5 000
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2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
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1 Channel
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30 A
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
2 349 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 317,39
10
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1 000
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₡413,65
Comprar
Min.: 1
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Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
30 A
17.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1:
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980 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
980 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 610,15
10
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100
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Min.: 1
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1 000
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
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- 20 V, 20 V
1.2 V
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1:
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4 958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4 958 En existencias
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Ver
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1 000
₡343,17
2 500
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5 000
₡320,40
Comprar
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Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
45 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
17.4 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1:
₡2 038,44
725 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
725 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 038,44
10
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₡1 040,90
500
₡894,53
1 000
₡758,99
2 000
₡753,57
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
9.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 241,49
1 874 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
1 874 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 241,49
10
₡634,30
100
₡461,36
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₡413,65
5 000
₡413,65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 469,68
2 840 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2 840 En existencias
1
₡3 469,68
10
₡2 276,98
100
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Si
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PG-HSOG-4-1
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Enhancement
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PG-HSOG-4-1
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Si
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TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6
IPB180N10S4-02
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Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
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100 V
180 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
156 nC
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel