Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
1 906 En existencias
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4 000 Se espera el 11/6/2026
6 000 Se espera el 13/8/2026
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18 Semanas
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Detalles
Si
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Detalles
Si
SMD/SMT
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726-IPG20N10S4L35ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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Detalles
Si
SMD/SMT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-L8
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Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
3 313 En existencias
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Detalles
Si
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IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD22N08S2L-50
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 22A DPAK-2 OptiMOS
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AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
IPD50N08S4-13
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
IPD60N10S4L12ATMA1
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2 121 En existencias
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD70N10S3-12
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726-IPD70N10S312
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
248 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-G16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2 917 En existencias
5 000 En pedido
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Si
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TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
16 A
61 mOhms
- 20 V, 20 V
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+ 175 C
29 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
48 En existencias
25 000 Se espera el 1/6/2026
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5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
78 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel