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SICW028N120A4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW028N120A4-BP
Price: 11820 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SICW028N120A4-BP

Fabricante N.º:

SICW028N120A4-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFETs de SiC

Hoja de datos:

SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡11 820	₡11 820
	₡9 326	₡93 260
	₡9 239	₡923 900

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	168 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	SICW028N120A4
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	42.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET is designed with a low on-resistance of just 28mΩ at a gate-source voltage of 18V. This N-channel MOSFET works well with the popular D2PAK 4-pin footprint and includes a Kelvin source pin to reduce switching losses and boost energy efficiency significantly. This SICW028N120A4 MOSFET features a high avalanche ruggedness and has the ability to operate at high junction temperatures of 175°C. This MOSFET ensures superior thermal performance and efficient heat management, eliminating the need for additional cooling components while increasing product reliability and lifespan. The SICW028N120A4 MOSFET is a robust and reliable solution for a host of industrial and commercial applications dealing in harsh environments.

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