BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK 205En existencias
1 500Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 26.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60E/SOT669/LFPAK
3 000Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
9 000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 73.1 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK
4 800Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D
4 475Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K18-40E/SOT1205/LFPAK56D
15 833En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D
4 250Se espera el 30/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 25.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
8 985Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 32 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-60E/SOT669/LFPAK
12 000Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 21.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK
8 531Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y41-80E/SOT669/LFPAK
9 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 35.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 11.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 52A
3 000Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 33A
1 500Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 34A
1 902Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A
1 481Se espera el 21/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
2 987Se espera el 8/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 47.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 11.8A
1 465Se espera el 19/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 11.8 A 98 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK
6 000Se espera el 19/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y38-100E/SOT669/LFPAK
1 500Se espera el 7/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 21.6 nC - 55 C + 175 C 94.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
3 000Se espera el 27/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 6.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 49A Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R0-40E/SOT669/LFPAK
10 500Se espera el 23/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.47 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35.5 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK
12 000Se espera el 12/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 16.7 A 51 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 6.1 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK761R6-40E/SOT404/D2PAK No en existencias
Min.: 4 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si 40 V Reel