BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 34A 1 902En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 22A 1 963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A 1 481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A 97En existencias
9 000En pedido
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 73.1 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A 2 555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 N-CH 80V 120A 708En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 4.2 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 123 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D 686En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 25.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K31-100L/SOT1205 /LFPAK56D 230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 24 A 31.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D 353En existencias
1 500Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 38.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 16A 1 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 47.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A 909En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.27 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35.4 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A 61En existencias
1 500Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 15 mOhms - 10 V, 16 V 1.5 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M16-100L/SOT1210 /mLFPAK 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT Power33-4 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 15.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 28.5 nC - 55 C + 175 C 19.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 11.8A 2 046En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 11.8 A 98 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK 1 053En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK 198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 10 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK 7 782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK 860En existencias
1 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 17.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 35.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-60E/SOT669/LFPAK 713En existencias
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 21.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK 1 214En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 30.2 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y41-80E/SOT669/LFPAK 3 000En existencias
6 000Se espera el 9/7/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 35.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 11.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y43-60E/SOT669/LFPAK 82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 38 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK 1 717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 26.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK 9 848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 16.7 A 51 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 6.1 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK 2 837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 6.8 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel