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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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3 751En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
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864En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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597En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
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8 754En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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1 699En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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2 578En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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8 868En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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12 379En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 4.68 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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224En existencias
240Se espera el 14/5/2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
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235En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 36 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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336En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
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881En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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3 075En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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7 896En existencias
5 000Se espera el 4/5/2026
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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8 807En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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952En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.1 A 1.17 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 18.7 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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709En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
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395En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
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328En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
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872En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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54En existencias
240Se espera el 14/5/2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
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273En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 890 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
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728En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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151En existencias
1 440Se espera el 11/5/2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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1 386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube