Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R180P7SXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
IPA60R230P6XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R600P7SATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPD90R1K2C3ATMA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
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NRND
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726-IPN60R1K5CEATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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SOT-223-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
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4 200 Se espera el 6/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4 200 Se espera el 6/8/2026
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2 500
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
IPP50R190CEXKSA1
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995 Se espera el 11/6/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
995 Se espera el 11/6/2026
Embalaje alternativo
1
₡1 512,56
10
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100
₡661,41
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
IPA60R190P6XKSA1
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3
Plazo de entrega 8 Semanas
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1 000
₡272,15
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10.1 A
650 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPP90R1K2C3XKSA2
Infineon Technologies
1:
₡1 333,66
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP90R1K2C3XKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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₡1 333,66
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
5.1 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
3.5 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
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