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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 376En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3 534En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 736En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2 361En existencias
7 500En pedido
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4 838En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 6.9 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY 2 849En existencias
Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4 200Se espera el 6/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
995Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3 Plazo de entrega 8 Semanas
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube