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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si MDmesh Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 53.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 209 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics STL19N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 215 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel