Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 967,96
985En existencias

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STP46N60M6

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511-STP46N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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₡1 967,96

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

53.5 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW36N60M6
STMicroelectronics
1: ₡4 060,61
2 819En existencias

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STW36N60M6

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511-STW36N60M6

STMicroelectronics

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2 819En existencias

₡4 060,61

₡2 336,61

₡1 816,16

₡1 783,63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

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- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL47N60M6
STMicroelectronics
1: ₡3 420,89
1 923En existencias

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STL47N60M6

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511-STL47N60M6

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Cinta cortada

₡3 420,89

₡2 298,66

₡1 664,36

₡1 658,94

₡1 599,31

Envase tipo carrete

₡1 550,51

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP36N60M6
STMicroelectronics
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973En existencias

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STP36N60M6

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511-STP36N60M6

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₡3 708,22

₡1 984,22

₡1 870,37

₡1 588,46

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

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- 25 V, 25 V

3.25 V

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+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
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478En existencias

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STWA75N60M6

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511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

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478En existencias

₡5 632,81

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₡3 057,65

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

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- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

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+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB24N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 973,38
1 455En existencias

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STB24N60M6

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Cinta cortada

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₡1 290,29

₡899,95

₡758,99

Envase tipo carrete

₡753,57

₡710,20

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

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23 nC

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130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M6
STMicroelectronics
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STD16N60M6

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511-STD16N60M6

STMicroelectronics

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Cinta cortada

₡1 496,30

₡965,00

₡661,41

₡537,26

Envase tipo carrete

₡480,88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB36N60M6
STMicroelectronics
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1 696En existencias

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STB36N60M6

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Cinta cortada

₡3 420,89

₡2 298,66

₡1 664,36

₡1 658,94

Envase tipo carrete

₡1 550,51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 827,00
767En existencias

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STP24N60M6

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511-STP24N60M6

STMicroelectronics

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767En existencias

₡1 827,00

₡927,05

₡840,31

₡683,09

₡623,46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: ₡2 916,70
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

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511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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640En existencias

₡2 916,70

₡1 935,43

₡1 382,45

₡1 143,91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF36N60M6
STMicroelectronics
1: ₡3 805,80
319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

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319En existencias

₡3 805,80

₡2 575,15

₡1 875,80

₡1 778,21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 414,98
2 794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

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511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2 794En existencias

Cinta cortada

₡1 414,98

₡905,37

₡618,04

₡501,48

₡452,68

Envase tipo carrete

₡445,09

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 377,03
1 767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1 767En existencias

Cinta cortada

₡1 377,03

₡851,16

₡601,77

₡495,51

Envase tipo carrete

₡390,88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB18N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 821,58
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

883En existencias

Cinta cortada

₡1 821,58

₡1 143,91

₡818,63

₡672,25

Envase tipo carrete

₡601,77

₡596,35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO36N60M6
STMicroelectronics
1: ₡3 269,09
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STO36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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482En existencias

Cinta cortada

₡3 269,09

₡2 190,24

₡1 577,62

₡1 561,36

₡1 463,77

Envase tipo carrete

₡1 274,02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

STU3N65M6
STMicroelectronics
1: ₡1 002,95
2 440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STU3N65M6

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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2 440En existencias

₡1 002,95

₡639,72

₡423,41

₡346,97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.5 A

1.5 Ohms

- 25 V, 25 V

2.25 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW24N60M6
STMicroelectronics
1: ₡2 347,45
1 044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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1 044En existencias

₡2 347,45

₡1 545,09

₡1 089,70

₡878,26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW75N60M6
STMicroelectronics
1: ₡6 207,47
485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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485En existencias

₡6 207,47

₡4 483,48

₡4 272,04

₡2 569,73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF16N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 799,90
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Hoja de datos

55En existencias

₡1 799,90

₡910,79

₡824,05

₡666,83

₡618,04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF24N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 854,11
1 001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

1 001En existencias

₡1 854,11

₡927,05

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW33N60M6
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STW33N60M6

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD3N65M6
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MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW48N60M6-4
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

69 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW70N60DM6-4
STMicroelectronics
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350 mOhms
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208 W
230 W
240 W
250 W