Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB24N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
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- 25 V, 25 V
3.25 V
23 nC
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130 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP46N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
992 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
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- 25 V, 25 V
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
STL47N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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600 V
30 A
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
STWA75N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
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72 A
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2 794 En existencias
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
883 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
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511-STL10N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1 767 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
5.5 A
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP24N60M6
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N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
792 En existencias
1
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1 000
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
17 A
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- 25 V, 25 V
3.25 V
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- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP33N60M6
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1:
₡2 726,95
673 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
673 En existencias
1
₡2 726,95
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
STO36N60M6
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482 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STO36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
482 En existencias
1
₡3 269,09
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
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- 55 C
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
360°
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STU3N65M6
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1:
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2 440 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STU3N65M6
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
2 440 En existencias
1
₡1 002,95
10
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100
₡423,41
500
₡346,97
1 000
Ver
1 000
₡303,60
3 000
₡279,20
6 000
₡278,66
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Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
650 V
3.5 A
1.5 Ohms
- 25 V, 25 V
2.25 V
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- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB36N60M6
STMicroelectronics
1:
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1 702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB36N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
1 702 En existencias
1
₡3 491,36
10
₡2 347,45
100
₡1 696,89
1 000
₡1 550,51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
85 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW24N60M6
STMicroelectronics
1:
₡2 195,66
1 044 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1 044 En existencias
1
₡2 195,66
10
₡1 447,51
100
₡1 019,22
600
₡856,58
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW75N60M6
STMicroelectronics
1:
₡6 207,47
585 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
585 En existencias
1
₡6 207,47
10
₡4 483,48
100
₡4 272,04
600
₡2 569,73
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
72 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N60M6
STMicroelectronics
1:
₡1 393,29
8 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
8 En existencias
1
₡1 393,29
10
₡899,95
100
₡645,14
500
₡537,26
1 000
₡465,15
2 500
₡465,15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
320 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
16.7 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF16N60M6
STMicroelectronics
1:
₡1 799,90
55 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
55 En existencias
1
₡1 799,90
10
₡910,79
100
₡824,05
500
₡666,83
1 000
₡618,04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
320 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF36N60M6
STMicroelectronics
1:
₡3 805,80
319 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF36N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
319 En existencias
1
₡3 805,80
10
₡2 575,15
100
₡1 875,80
500
₡1 778,21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3.25 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW33N60M6
STMicroelectronics
1:
₡3 166,08
222 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
222 En existencias
1
₡3 166,08
10
₡2 206,50
100
₡1 593,88
600
₡1 474,61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
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+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
360°
+5 imágenes
STD3N65M6
STMicroelectronics
1:
₡905,37
2 441 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD3N65M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW48N60M6-4
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511-STW48N60M6-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
39 A
69 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
57 nC
- 55 C
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250 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF24N60M6
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
23 nC
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+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF18N60M6
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511-STF18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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STW70N60DM6-4
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511-STW70N60DM6-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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TO-247-4
N-Channel
1 Channel
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62 A
42 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
99 nC
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390 W
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MDmesh
Tube