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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 1508 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SGT350R70GTK

Fabricante N.º:

SGT350R70GTK

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 508	₡1 508
	₡974	₡9 740
	₡696	₡69 600
	₡586	₡293 000
	₡553	₡553 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡473	₡1 182 500
	₡470	₡2 350 000
	₡458	₡4 580 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	350 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	47 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.1 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	3.5 ns
Serie:	SGT
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	1.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	0.9 ns
Peso de la unidad:	300 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.