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RF5L15120CB4

Name: STMicroelectronics RF5L15120CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF5L15120CB4
Price: 111725 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-RF5L15120CB4

Fabricante N.º:

RF5L15120CB4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

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NRND:

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Hoja de datos:

RF5L15120CB4 Hoja de datos (PDF)

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MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡111 725	₡111 725
	₡91 083	₡910 830
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	₡89 656	₡8 965 600
500	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	Dual N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	95 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Frecuencia de trabajo:	1 GHz
Ganancia:	20 dB
Potencia de salida:	120 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LBB-5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V

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EOL

Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor features high efficiency and linear gain operations. The RF5L15120CB4 120W LDMOS FET provides a significant positive and negative gate/source voltage range. The device can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.