Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
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₡1 002,95
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
IDYH80G200C5XKSA1
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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₡1 377,03
100
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
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250
₡1 078,85
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 40 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
IDYH40G200C5XKSA1
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 40 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
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₡9 866,90
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
IDYH50G200C5XKSA1
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
1ED3321MC12NXUMA1
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25
₡1 355,34
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₡1 219,81
1 000
₡1 030,06
2 000
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₡1 154,75
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₡1 116,80
2 000
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60N12AFXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
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1
₡1 333,66
10
₡981,27
25
₡894,53
100
₡796,94
2 500
₡634,30
5 000
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500
₡721,04
1 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
14 433 En existencias
6 500 Se espera el 4/2/2027
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₡2 932,96
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₡1 528,83
100
₡1 393,29
500
₡1 328,24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180CM8XTMA1
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726-IPD60R180CM8XTMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 155 En existencias
2 500 Se espera el 11/6/2026
1
₡1 387,87
10
₡829,47
100
₡585,51
500
₡486,30
1 000
₡447,26
2 500
₡414,74
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60H12AHXUMA1
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₡1 637,25
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726-1EDI60H12AHXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1 274 En existencias
1
₡1 637,25
10
₡1 225,23
25
₡1 122,22
100
₡1 008,38
1 000
₡878,26
2 000
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₡954,16
500
₡937,90
2 000
₡845,73
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₡829,47
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH10G65C6XKSA1
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₡2 634,79
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726-IDH10G65C6XKSA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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1
₡2 634,79
10
₡1 355,34
100
₡1 230,65
500
₡1 013,80
1 000
₡986,69
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
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726-IMW65R072M1HXKSA
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1
₡4 315,41
10
₡2 586,00
100
₡2 173,97
480
₡2 016,75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2 273 En existencias
1
₡2 932,96
10
₡1 528,83
100
₡1 393,29
500
₡1 154,75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
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₡3 079,34
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726-IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 512 En existencias
1
₡3 079,34
10
₡2 049,28
100
₡1 610,15
500
₡1 474,61
1 000
₡1 377,03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
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₡3 079,34
1 468 En existencias
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726-IPB60R080P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 468 En existencias
1
₡3 079,34
10
₡2 005,91
100
₡1 572,20
500
₡1 317,39
1 000
₡1 219,81
2 000
₡1 143,91
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099P7ATMA1
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726-IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 213 En existencias
1
₡2 591,42
10
₡1 713,15
100
₡1 214,39
500
₡1 046,33
1 000
₡975,85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R105CFD7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
717 En existencias
1
₡2 829,96
10
₡1 881,22
100
₡1 339,08
500
₡1 192,70
1 000
₡1 116,80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R120P7ATMA1
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5 343 En existencias
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726-IPB60R120P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5 343 En existencias
1
₡2 244,45
10
₡1 474,61
100
₡1 035,48
500
₡927,05
1 000
₡856,58
2 000
₡802,36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R180P7ATMA1
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₡1 691,47
7 946 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7 946 En existencias
1
₡1 691,47
10
₡1 095,12
100
₡758,99
500
₡612,62
1 000
₡552,98
2 000
₡547,56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R280P7ATMA1
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₡1 409,56
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726-IPB60R280P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
6 898 En existencias
1
₡1 409,56
10
₡910,79
100
₡623,46
500
₡496,06
1 000
₡455,94
2 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R050CFD7AATMA1
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726-IPB65R050CFD7AAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
638 En existencias
1
₡4 711,17
10
₡3 366,67
100
₡2 482,99
500
₡2 466,73
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₡2 304,08
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