Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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SIHP4N80E-BE3
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Reel, Cut Tape

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SIHB24N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET

SIHB11N80AE-GE3
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SIHA21N80AE-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET

SIHG17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

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SIHP15N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
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SIR608DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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SIHA22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHB17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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Tube

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SIHB24N65EFT1-GE3
Vishay / Siliconix
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N-Channel

1 Channel

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- 30 V, 30 V

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Enhancement

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SIHP12N60E-BE3
Vishay
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1 Channel

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147 W

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Tube

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SIHP17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

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800 V

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SIHA17N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHA17N80AE-GE3

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800 V

7 A

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SIHP14N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP15N50E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP17N80E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP17N80E-BE3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

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+ 150 C

208 W

Enhancement

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SIHA20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHA20N50E-GE3

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500 V

19 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

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SIHP25N60EFL-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP7N60E-BE3
Vishay / Siliconix
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SIHP7N60E-BE3

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SIHK055N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPak-9

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

800 V

21 A

184 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET

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TO-220-3

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1 Channel

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- 30 V, 30 V

4 V

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Tube

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5.4 A

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Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.9 A
4.3 A
5.4 A
7 A
7.5 A
8 A
9 A
10.5 A
12 A
13 A
14.5 A
15 A
17.4 A
19 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
26 A

1.2 mOhms
49 mOhms
56 mOhms
82 mOhms
125 mOhms
127 mOhms
145 mOhms
156 mOhms
158 mOhms
180 mOhms
184 mOhms
205 mOhms
243 mOhms
250 mOhms
269 mOhms
280 mOhms
304 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
600 mOhms

7 nC
28 nC
29 nC
32 nC
35 nC
40 nC
41 nC
44 nC
46 nC
48 nC
50 nC
54 nC
59 nC
64 nC
65 nC
66 nC
75 nC
78 nC
81 nC
86 nC