Resultados: 39
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
3 734En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Hoja de datos
682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
7 303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 363En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9 560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 23A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 26A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
374En existencias
4 000Se espera el 11/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Si

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 32A N-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel