Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
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SSM6K388R,LF

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757-SSM6K388RLF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

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2 A

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2.1 V

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3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
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SSM3K333R,LF

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757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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1 Channel

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U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
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SSM6N7002CFU,LF

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757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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SOT-363-6

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2 Channel

60 V

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- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

SSM6K781G,LF
Toshiba
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SSM6K781G,LF

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757-SSM6K781GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

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WCSP6C-6

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1 Channel

12 V

7 A

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- 8 V, 8 V

400 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

SSM3K389R,LF
Toshiba
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SSM3K389R,LF

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757-SSM3K389RLF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K389R,LF
Toshiba
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SSM6K389R,LF

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757-SSM6K389RLF

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Toshiba

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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

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SSM3K388R,LF
Toshiba
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SSM3K388R,LF

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757-SSM3K388RLF

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

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+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K516NU,LF
Toshiba
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SSM6K516NU,LF

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757-SSM6K516NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

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- 12 V, 20 V

2.5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
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9 594En existencias

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SSM6N55NU,LF

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757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: ₡271,07
16 750En existencias

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SSM3K335R,LF

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757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: ₡357,81
135 208En existencias

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SSM6N67NU,LF

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757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

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- 8 V, 12 V

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- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
1: ₡113,85
169 549En existencias
210 000Se espera el 7/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KCT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KCTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

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₡113,85

₡69,39

₡43,37

₡40,66

Envase tipo carrete

₡16,26

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: 10 000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

SSM6N58NU,LF
Toshiba
1: ₡341,55
29 250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N58NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N58NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

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₡341,55

₡209,81

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₡76,98

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: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

112 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

T2N7002BK,LM
Toshiba
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244 504En existencias
378 000Se espera el 4/9/2026

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T2N7002BK,LM

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757-T2N7002BKLM

Toshiba

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₡86,74

₡52,59

₡32,53

₡23,85

Envase tipo carrete

₡14,10

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

SSM3K344R,LF
Toshiba
1: ₡243,96
8 550En existencias

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SSM3K344R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K344RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

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₡50,96

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

51 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: ₡195,17
18 115En existencias
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SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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₡195,17

₡118,73

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: ₡309,02
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SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

43 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: ₡260,23
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SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K336R,LF
Toshiba
1: ₡254,80
4 709En existencias

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SSM3K336R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K336RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K56CT,L3F
Toshiba
1: ₡216,85
11 910En existencias
10 000Se espera el 28/8/2026

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SSM3K56CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: ₡189,75
9 247En existencias
60 000Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

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SSM3K7002CFU,LF
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SSM3K7002CFU,LF

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

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SSM3K7002KF,LF
Toshiba
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SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

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900 mW

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SSM3K7002KFU,LF
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1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

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AEC-Q101

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SSM3K72CFS,LF
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SOT-416-3

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60 V

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350 pC

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14.4 mOhms
26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
87 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
171 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms