U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
Hoja de datos
588En existencias
80 000Se espera el 23/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
Hoja de datos
101En existencias
16 000Se espera el 6/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 40 V 1.8 A 400 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
7 886En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A
Hoja de datos
3 702En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V
Hoja de datos
4 165En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Hoja de datos
4 557En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Hoja de datos
9 693En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
Hoja de datos
489En existencias
21 000Se espera el 17/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 112 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
3 303En existencias
3 000Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 84 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohma.4.5V, DFN2020B(WF)Automotive
Hoja de datos
768En existencias
9 000Se espera el 6/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT DFN2020B-6 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
Hoja de datos
139 603En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
Hoja de datos
Comentarios de Producto
18 000Se espera el 13/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
20 000Se espera el 18/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel