Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
IRFH7545TRPBF
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4300F100K256AAXUMA1
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE493DW2B6A0HTSA1
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Infineon Technologies IRFB3607PBFXKMA1
IRFB3607PBFXKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPT029N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPP051N15N5XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE9877QXW40XUMA1
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
12 589 En existencias
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Controladores de puertas 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS
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IR2136SPBF
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Controladores de puertas 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS
1 126 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRL7PP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB019N08N3GATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1 565 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1 070 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2 926 En existencias
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Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
5 821 En existencias
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₡1 056
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
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726-1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
7 163 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
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726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
5 292 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
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5 000 Se espera el 26/11/2026
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726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
8 420 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3GATMA1
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2 000 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
2 101 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3GATMA1
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726-IPB107N20N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
3 350 En existencias
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