Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-ESD131B1W0201E63
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC28N08S5L230ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
10 000 Se espera el 16/2/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N10S5N015ATMA1
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5 504 Se espera el 9/4/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
5 504 Se espera el 9/4/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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IPD046N08N5ATMA1
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4 996 Se espera el 2/4/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
4 996 Se espera el 2/4/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060P7XKSA1
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726-IPP60R060P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 000 En pedido
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
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906 Se espera el 23/7/2026
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726-IPW60R060P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
906 Se espera el 23/7/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R080P7XKSA1
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1 601 Se espera el 14/5/2026
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726-IPW60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 601 Se espera el 14/5/2026
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₡3 439
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IRL60HS118
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726-IRL60HS118
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
7 657 Se espera el 7/5/2026
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4 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC028N06NSTATMA1
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726-BSC028N06NSTATM1
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9 985 Se espera el 9/4/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
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726-IPA60R280P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R600P7XKSA1
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915 Se espera el 5/3/2026
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726-IPA80R600P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
915 Se espera el 5/3/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R1K4P7XKSA1
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350 Se espera el 11/6/2026
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726-IPP80R1K4P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
350 Se espera el 11/6/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
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227 Se espera el 3/7/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
227 Se espera el 3/7/2026
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₡4 077
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480
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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₡208
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₡162
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ013NE2LS5IATMA1
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726-BSZ013NE2LS5IATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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1 000
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₡413
5 000
₡347
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
5 000:
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
BSZ300N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
5 000:
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ300N15NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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726-IPAN80R360P7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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₡742
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1 000
₡517
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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) IFX FET 60V
IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1 500:
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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
IQE006NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
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Plazo de entrega 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega 26 Semanas
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₡1 589
10
₡1 027
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500
₡615
1 000
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₡484
1 000
₡527
2 500
₡501
5 000
₡484
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Infineon Technologies IPP039N10N5XKSA1
IPP039N10N5XKSA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPP039N10N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
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Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
DEMOXDPS220165W1TOBO1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-DEMOXDPS220165W1
Infineon Technologies
Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
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