Semiconductores – Mouser Costa Rica

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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8

BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC072N08NS5ATMA1

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726-BSC072N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 471
29 546En existencias

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IPT026N10N5ATMA1

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726-IPT026N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡963
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BSZ075N08NS5ATMA1

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726-BSZ075N08NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡481
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BSZ042N06NSATMA1

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726-BSZ042N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 363
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BSC010N04LSATMA1

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726-BSC010N04LSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R360P7SAUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 108
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BSC065N06LS5ATMA1

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726-BSC065N06LS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 125
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IPB60R360P7ATMA1

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726-IPB60R360P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 216
6 488En existencias

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BSC026N08NS5ATMA1

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726-BSC026N08NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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IPD025N06NATMA1

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726-IPD025N06NATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 821
1 682En existencias

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IPB026N06NATMA1

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726-IPB026N06NATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡766
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IAUZ30N10S5L240ATMA1

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726-IAUZ30N10S5L240A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡899
27 788En existencias

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IPD95R2K0P7ATMA1

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726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡899

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡928
5 847En existencias

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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡928

₡514

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT019N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 761
2 665En existencias

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IPT019N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT019N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 565
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

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726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡4 565

₡2 558

₡2 239

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 357
11 215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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11 215En existencias

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₡1 357

₡824

₡621

₡520

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₡422

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡702
6 515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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₡702

₡441

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 067
4 661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡1 067

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 500
864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

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864En existencias

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₡2 500

₡1 647

₡1 166

₡1 067

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₡864

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡974
3 847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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3 847En existencias

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₡974

₡795

₡690

₡586

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₡463

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡760
26 564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ099N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ099N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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26 564En existencias

Cinta cortada

₡760

₡462

₡324

₡258

Envase tipo carrete

₡186

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡876
8 737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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8 737En existencias

Cinta cortada

₡876

₡554

₡369

₡289

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₡233

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 610
5 962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5 962En existencias

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₡2 610

₡1 728

₡1 224

₡1 131

₡1 073

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡725
12 380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12 380En existencias

Cinta cortada

₡725

₡454

₡299

₡237

Envase tipo carrete

₡162

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