Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 560
1 494 En existencias
10 000 Se espera el 2/4/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
1 494 En existencias
10 000 Se espera el 2/4/2026
Embalaje alternativo
1
₡1 560
10
₡1 032
100
₡748
500
₡621
2 500
₡609
5 000
₡504
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 003
4 407 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ017NE2LS5IATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
4 407 En existencias
1
₡1 003
10
₡673
100
₡463
500
₡366
1 000
Ver
5 000
₡276
1 000
₡338
2 500
₡332
5 000
₡276
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
₡864
4 473 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
4 473 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡864
10
₡547
100
₡364
500
₡285
5 000
₡209
10 000
Ver
1 000
₡249
2 500
₡245
10 000
₡203
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡783
7 073 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
7 073 En existencias
1
₡783
10
₡479
100
₡333
500
₡269
5 000
₡197
10 000
Ver
1 000
₡232
2 500
₡228
10 000
₡189
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
BSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 259
17 132 En existencias
20 000 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N06LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
17 132 En existencias
20 000 Se espera el 15/10/2026
1
₡1 259
10
₡806
100
₡546
500
₡436
1 000
Ver
5 000
₡340
1 000
₡409
2 500
₡395
5 000
₡340
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 415
10 065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
10 065 En existencias
1
₡1 415
10
₡911
100
₡626
500
₡498
1 000
Ver
5 000
₡400
1 000
₡476
2 500
₡457
5 000
₡400
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1:
₡592
13 719 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
13 719 En existencias
1
₡592
10
₡380
100
₡256
500
₡231
5 000
₡167
10 000
Ver
1 000
₡192
10 000
₡157
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
BSZ065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡795
12 324 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N06LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
12 324 En existencias
1
₡795
10
₡543
100
₡400
500
₡328
5 000
₡273
25 000
Ver
1 000
₡296
2 500
₡287
25 000
₡266
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
BSZ070N08LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡777
9 975 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ070N08LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
9 975 En existencias
1
₡777
10
₡559
100
₡483
500
₡431
1 000
Ver
5 000
₡350
1 000
₡419
5 000
₡350
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡499
3 429 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
3 429 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡499
10
₡497
100
₡476
500
₡422
1 000
Ver
5 000
₡341
1 000
₡410
5 000
₡341
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
₡783
15 036 En existencias
35 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
15 036 En existencias
35 000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
15 036 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10 000 Se espera el 23/2/2026
25 000 Se espera el 25/3/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡783
10
₡493
100
₡327
500
₡262
1 000
Ver
5 000
₡187
1 000
₡224
2 500
₡216
5 000
₡187
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD245B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
₡63,8
82 397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
82 397 En existencias
1
₡63,8
10
₡38,9
100
₡17,4
500
₡16,2
1 000
Ver
15 000
₡9,9
1 000
₡13,9
5 000
₡13,3
10 000
₡12,8
15 000
₡9,9
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 392
9 177 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
9 177 En existencias
1
₡1 392
10
₡887
100
₡603
500
₡506
1 000
Ver
5 000
₡398
1 000
₡445
2 500
₡412
5 000
₡398
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC70N08S5N074ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 166
5 362 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC70N08S5N074A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
5 362 En existencias
1
₡1 166
10
₡737
100
₡494
500
₡405
5 000
₡295
10 000
Ver
1 000
₡354
2 500
₡325
10 000
₡292
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 552
983 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
983 En existencias
1
₡2 552
10
₡1 699
100
₡1 201
500
₡1 160
1 000
₡1 125
2 000
₡899
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 993
675 En existencias
1 900 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
675 En existencias
1 900 Se espera el 5/3/2026
1
₡2 993
10
₡1 984
100
₡1 578
500
₡1 398
1 000
₡1 201
2 000
₡1 131
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡2 801
1 294 En existencias
4 000 Se espera el 23/2/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
1 294 En existencias
4 000 Se espera el 23/2/2026
1
₡2 801
10
₡2 239
100
₡1 810
500
₡1 612
1 000
₡1 380
2 000
₡1 380
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 958
3 522 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
3 522 En existencias
1
₡2 958
10
₡1 966
100
₡1 589
500
₡1 415
1 000
₡1 212
2 000
₡1 212
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 018
2 913 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
2 913 En existencias
1
₡2 018
10
₡1 009
100
₡922
500
₡760
1 000
₡667
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 946
727 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
727 En existencias
1
₡2 946
10
₡1 659
100
₡1 514
500
₡1 253
1 000
₡1 235
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 100
1 594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 594 En existencias
1
₡2 100
10
₡1 067
100
₡969
500
₡806
1 000
Ver
1 000
₡742
2 500
₡713
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 067
4 057 En existencias
1 500 Se espera el 23/7/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4 057 En existencias
1 500 Se espera el 23/7/2026
1
₡1 067
10
₡511
100
₡457
500
₡362
1 000
Ver
1 000
₡306
5 000
₡275
25 000
₡269
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡911
3 296 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 296 En existencias
1
₡911
10
₡394
500
₡310
1 000
₡260
5 000
Ver
5 000
₡231
10 000
₡228
25 000
₡223
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡650
15 558 En existencias
60 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
15 558 En existencias
60 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
15 558 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
30 000 Se espera el 18/6/2026
30 000 Se espera el 6/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
25 Semanas
1
₡650
10
₡329
100
₡307
500
₡252
1 000
Ver
1 000
₡235
5 000
₡209
25 000
₡182
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 260
1 722 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2
1 722 En existencias
1
₡3 260
10
₡2 564
100
₡2 123
1 000
₡1 844
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles