Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 359

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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RQ6E030ATTCR
ROHM Semiconductor
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RQ6E030ATTCR

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755-RQ6E030ATTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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₡464

₡287

₡186

₡142

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RQ6E035ATTCR
ROHM Semiconductor
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4 299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ6E035ATTCR

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755-RQ6E035ATTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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4 299En existencias

Cinta cortada

₡302

₡186

₡92,8

₡88,2

Envase tipo carrete

₡71,3

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Enhancement

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RQ6E035TNTR
ROHM Semiconductor
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755-RQ6E035TNTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 3.5A

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4 725En existencias

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₡539

₡336

₡219

₡168

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ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4A Small Signal MOSFET

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₡470

₡298

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 4.5A

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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 4.5A

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₡360

₡224

₡143

₡108

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ROHM Semiconductor
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3 000Se espera el 24/6/2026

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755-RQ6E050AJTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

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3 000Se espera el 24/6/2026

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₡534

₡342

₡226

₡178

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₡139

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 8.0A(Id), (2.5V Drive)

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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 8.0A(Id), (2.5V Drive)

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₡632

₡428

₡284

₡221

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₡174

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 11A Si MOSFET

RQ7E110AJTCR
ROHM Semiconductor
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RQ7E110AJTCR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 11A Si MOSFET

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₡824

₡524

₡362

₡293

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET P-CH 30V 2A

RRQ020P03TCR
ROHM Semiconductor
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962En existencias

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RRQ020P03TCR

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755-RRQ020P03TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET P-CH 30V 2A

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₡234

₡151

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Enhancement

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ROHM Semiconductor
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2 462En existencias

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RS1E130GNTB

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755-RS1E130GNTB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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₡406

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₡209

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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ROHM Semiconductor
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2 709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS1E150GNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E150GNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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₡545

₡343

₡223

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HSOP-8

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22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E170GNTB
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
RS1E170GNTB

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755-RS1E170GNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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₡476

₡362

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₡133

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HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

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2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E180BNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡429
63En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS1E180BNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E180BNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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63En existencias

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₡429

₡333

₡219

₡168

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₡115

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E200GNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡719
1 495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS1E200GNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E200GNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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1 495En existencias

Cinta cortada

₡719

₡450

₡297

₡231

Envase tipo carrete

₡180

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SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 P-CH 30V 76A

RS1E220ATTB1
ROHM Semiconductor
1: ₡2 001
889En existencias
2 500Se espera el 30/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS1E220ATTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E220ATTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 P-CH 30V 76A

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889En existencias

2 500Se espera el 30/4/2026

Cinta cortada

₡2 001

₡1 305

₡911

₡789

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Envase tipo carrete

₡737

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

HSOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

76 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

RS1E280BNTB
ROHM Semiconductor
1: ₡690
61En existencias
7 500Se espera el 16/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS1E280BNTB

N.º de artículo de Mouser
755-RS1E280BNTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

61En existencias

7 500Se espera el 16/3/2026

Cinta cortada

₡690

₡484

₡321

₡251

Envase tipo carrete

₡196

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 9.5A Si MOSFET

RS3E095BNGZETB
ROHM Semiconductor
1: ₡771
1 907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS3E095BNGZETB

N.º de artículo de Mouser
755-RS3E095BNGZETB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 9.5A Si MOSFET

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Hoja de datos

1 907En existencias

Cinta cortada

₡771

₡495

₡329

₡263

Envase tipo carrete

₡211

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Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

9.5 A

14.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -250mA SOT-23

RSC002P03T316
ROHM Semiconductor
1: ₡145
3 242En existencias
21 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RSC002P03T316

N.º de artículo de Mouser
755-RSC002P03T316

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -250mA SOT-23

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Hoja de datos

3 242En existencias

21 000En pedido

Cinta cortada

₡145

₡88,7

₡55,7

₡40,6

Envase tipo carrete

₡29,6

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

250 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch

RSJ151P10TL
ROHM Semiconductor
1: ₡980
624En existencias
1 000Se espera el 1/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
RSJ151P10TL

N.º de artículo de Mouser
755-RSJ151P10TL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch

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Hoja de datos

624En existencias

1 000Se espera el 1/7/2026

Cinta cortada

₡980

₡760

₡526

₡419

Envase tipo carrete

₡384

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

100 V

15 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 200MA

RSM002P03T2L
ROHM Semiconductor
1: ₡360
14 976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSM002P03T2L

N.º de artículo de Mouser
755-RSM002P03T2L

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 200MA

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Hoja de datos

14 976En existencias

Cinta cortada

₡360

₡262

₡171

₡131

Envase tipo carrete

₡78,3

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8 000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

30 V

200 mA

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 3.5A TUMT6

RTL035N03TR
ROHM Semiconductor
1: ₡510
1 438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RTL035N03TR

N.º de artículo de Mouser
755-RTL035N03TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 3.5A TUMT6

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Hoja de datos

1 438En existencias

Cinta cortada

₡510

₡322

₡209

₡161

Envase tipo carrete

₡103

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

SOT-363T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT6

RTQ020N03TR
ROHM Semiconductor
1: ₡377
883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RTQ020N03TR

N.º de artículo de Mouser
755-RTQ020N03TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT6

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SMD/SMT

SOT-457T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SW MOSFET MID PWR N-CH 30V 2A

RTQ020N05TR
ROHM Semiconductor
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RTQ020N05TR

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755-RTQ020N05TR

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45 V

2 A

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- 12 V, 12 V

1.5 V

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+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 20V .1A

RU1C001UNTCL
ROHM Semiconductor
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RU1C001UNTCL

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755-RU1C001UNTCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 20V .1A

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SMD/SMT

SOT-323FL-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3.5 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch MOSFET

RU1C001ZPTL
ROHM Semiconductor
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RU1C001ZPTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch MOSFET

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SOT-323FL-3

P-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3.8 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-0604-3
DFN-0806-3
DFN-1006-3
DFN-2020-8
HSMT-8
HSOP-8
SOP-8
SOT-23-3
SOT-323-3
SOT-323FL-3
SOT-323T-3
SOT-346-3
SOT-346T-3
SOT-363-6
SOT-363T-3
SOT-363T-6
SOT-416-3
SOT-416FL-3
SOT-457-6
SOT-457T-6

100 mA
150 mA
180 mA
200 mA
230 mA
250 mA
1 A
1.3 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A

1.2 mOhms
1.76 mOhms
1.86 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.9 mOhms
4.1 mOhms
4.3 mOhms
4.6 mOhms

1.4 nC
1.8 nC
2 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.4 nC
2.7 nC
2.9 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.7 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.2 nC

100 mW
150 mW
200 mW
350 mW
400 mW
600 mW
800 mW
1 W
1.25 W
1.5 W
2 W
3 W
14 W
14.8 W
15 W
17 W
18 W
20 W
22 W
23 W