30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Resultados: 34
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg
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7 769En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement HEXFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
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7 071En existencias
8 000Se espera el 19/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
Hoja de datos
9 763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
Hoja de datos
21 597En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
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163 992En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
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1 859En existencias
8 000Se espera el 29/10/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 55 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
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4 241En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 8.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2
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7 652En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
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6 920En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 4.9 A 76 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
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13 412En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 3.04 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
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3 209En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
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3 760En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 50 V 3 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg
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3 778En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 92 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
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Plazo de entrega 15 Semanas
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
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6 777En existencias
8 000Se espera el 5/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
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6 821En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
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9 593En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.7 A, 3.5 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
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15 153En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
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9 208En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A, 5.3 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
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16 134En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 61 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
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19 426En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.32 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
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14 933En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 11 A 17.1 mOhms, 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.7 nC, 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
Hoja de datos
6 548En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
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31 450En existencias
500Se espera el 26/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
Hoja de datos
8 166En existencias
8 000Se espera el 9/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC, 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel