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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 7270.06 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBL045N065SC1

Fabricante N.º:

NTBL045N065SC1

Fabricante:

onsemi

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 270,06	₡7 270,06
	₡5 096,09	₡50 960,90
	₡4 179,88	₡417 988,00
	₡4 158,19	₡2 079 095,00
	₡3 903,39	₡3 903 390,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡3 903,39	₡7 806 780,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	73 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	KR
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NTBL045N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns