MOSFET de carburo de silicio (SiC) SICWx

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) SICWx de Micro Commercial Components (MCC) son MOSFET de SiC de 650 V para conmutación de alta velocidad. Estos MOSFET utilizan la tecnología de MOSFET de SiC y son ideales para aplicaciones de alto voltaje, lo que ofrece un funcionamiento confiable en entornos industriales rigurosos. Los MOSFET SICWx están diseñados con bajo RDS(on) y baja carga de puerta para reducir las pérdidas de conmutación y contribuir a una mayor eficiencia general del sistema. El diseño que aumenta la eficiencia y el paquete TO-247 ofrecen un rendimiento térmico superior, mientras que las opciones de 3 o 4 pines (pin con fórmula Kelvin) mejoran la versatilidad. Los MOSFET SICWx están fabricados con diseño resistente y avalancha que tienen la capacidad de permitir una mejor gestión térmica y mayor eficiencia. El uso ideal de estos MOSFET es en suministros de energía, telecomunicaciones, sistemas de energía renovable y controladores de motores.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
336En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
355En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
337En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement