Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 008,38
6 550En existencias

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STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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6 550En existencias

Cinta cortada

₡1 008,38

₡639,72

₡421,78

₡333,41

Envase tipo carrete

₡255,89

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.4 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 805,32
1 848En existencias

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STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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1 848En existencias

₡1 805,32

₡992,11

₡813,21

₡775,26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 678,16
1 557En existencias

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STL33N60M2

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511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1 557En existencias

Cinta cortada

₡2 678,16

₡2 575,15

₡2 016,75

₡1 794,47

Ver

Envase tipo carrete

₡921,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 396,73
921En existencias

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STP18NM80

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511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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₡4 396,73

₡2 569,73

₡2 358,30

₡1 995,07

₡1 897,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 501,72
1 882En existencias

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STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

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₡959,58

₡655,99

₡539,43

Envase tipo carrete

₡471,66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 279,44
1 767En existencias

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STL10N60M6

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511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Cinta cortada

₡1 279,44

₡818,63

₡563,82

₡453,23

Envase tipo carrete

₡365,40

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 414,98
2 794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

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511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2 794En existencias

Cinta cortada

₡1 414,98

₡905,37

₡618,04

₡501,48

Envase tipo carrete

₡394,13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 775,74
1 387En existencias

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STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

₡2 775,74

₡1 843,27

₡1 306,55

₡1 149,33

Envase tipo carrete

₡1 073,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: ₡3 187,77
970En existencias

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STB40N60M2

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511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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970En existencias

Cinta cortada

₡3 187,77

₡2 141,44

₡1 539,67

₡1 517,98

Envase tipo carrete

₡1 431,24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STW18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 868,39
652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18NM80

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511-STW18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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652En existencias

₡4 868,39

₡2 911,28

₡2 455,88

₡2 125,18

₡2 038,44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: ₡3 182,35
488En existencias
1 000Se espera el 8/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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488En existencias

1 000Se espera el 8/2/2027

Cinta cortada

₡3 182,35

₡2 125,18

₡1 523,41

₡1 382,45

Envase tipo carrete

₡1 181,86

₡1 122,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: ₡2 412,51
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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Hoja de datos

708En existencias

Cinta cortada

₡2 412,51

₡1 610,15

₡1 149,33

₡1 062,59

₡975,85

Envase tipo carrete

₡975,85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 450,95
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

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Hoja de datos

4En existencias

₡4 450,95

₡2 531,78

₡2 325,77

₡2 201,08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: ₡3 442,57
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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Hoja de datos

87En existencias

₡3 442,57

₡2 640,21

₡1 881,22

₡1 680,63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: ₡1 837,85
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

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Hoja de datos

913En existencias

₡1 837,85

₡927,05

₡834,89

₡683,09

₡672,25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

STU8N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 583,04
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

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400En existencias

₡1 583,04

₡742,73

₡672,25

₡569,24

₡547,56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL9N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 301,13
6 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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6 000En pedido

Cinta cortada

₡1 301,13

₡834,89

₡569,24

₡453,23

Envase tipo carrete

₡369,20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

4.8 A

860 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 588,46
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

₡1 588,46

₡780,68

₡704,78

₡585,51

₡563,82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

STF7NM80
STMicroelectronics
1 000: ₡1 068,01
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

₡1 068,01

₡1 008,38

₡1 002,95

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STI33N60M2
STMicroelectronics
1 000: ₡818,63
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

₡818,63

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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