Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

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Resultados: 20

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 931
1 848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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1 848En existencias

₡1 931

₡1 061

₡870

₡829

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 686
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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921En existencias

₡4 686

₡2 569

₡2 361

₡2 326

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: ₡4 791
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

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403En existencias

₡4 791

₡2 511

₡2 384

₡2 349

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 514
2 794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2 794En existencias

Cinta cortada

₡1 514

₡969

₡661

₡537

₡484

Envase tipo carrete

₡476

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 369
1 787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Hoja de datos

1 787En existencias

Cinta cortada

₡1 369

₡882

₡603

₡485

₡443

Envase tipo carrete

₡441

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: ₡980
6 550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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6 550En existencias

Cinta cortada

₡980

₡626

₡421

₡331

₡302

Envase tipo carrete

₡278

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.4 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 508
1 882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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1 882En existencias

Cinta cortada

₡1 508

₡974

₡673

₡539

Envase tipo carrete

₡504

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 778
1 387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1 387En existencias

Cinta cortada

₡2 778

₡1 839

₡1 311

₡1 299

Envase tipo carrete

₡1 148

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: ₡2 581
810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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Hoja de datos

810En existencias

Cinta cortada

₡2 581

₡1 723

₡1 230

₡1 137

₡1 044

Envase tipo carrete

₡1 044

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STW18NM80
STMicroelectronics
1: ₡5 087
676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Hoja de datos

676En existencias

₡5 087

₡3 497

₡2 946

₡2 622

₡2 500

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: ₡3 057
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Hoja de datos

596En existencias

Cinta cortada

₡3 057

₡2 123

₡1 525

₡1 479

Envase tipo carrete

₡1 380

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: ₡3 683
137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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Hoja de datos

137En existencias

₡3 683

₡2 825

₡2 013

₡1 798

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 912
1 617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Hoja de datos

1 617En existencias

Cinta cortada

₡2 912

₡2 755

₡2 158

₡1 920

₡1 641

Envase tipo carrete

₡1 131

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL9N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 351
672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

672En existencias

Cinta cortada

₡1 351

₡870

₡603

₡494

₡429

Envase tipo carrete

₡408

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

4.8 A

860 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: ₡1 966
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

913En existencias

₡1 966

₡992

₡893

₡731

₡719

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

STU8N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 694
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

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Hoja de datos

410En existencias

₡1 694

₡795

₡719

₡609

₡586

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: ₡3 410
980Se espera el 13/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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Hoja de datos

980Se espera el 13/4/2026

Cinta cortada

₡3 410

₡2 291

₡1 647

₡1 624

Envase tipo carrete

₡1 514

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 630
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

₡1 630

₡777

₡708

₡615

₡597

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

STF7NM80
STMicroelectronics
1 000: ₡1 172
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

₡1 172

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STI33N60M2
STMicroelectronics
1 000: ₡876
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

₡876

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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