NVH4L015N065SC1

onsemi
863-NVH4L015N065SC1
NVH4L015N065SC1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
Marca: onsemi
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: NVH4L015N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

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NVH4L015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L015N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

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