HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 719
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
1 488En existencias
₡14 260,75
₡9 342,35
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1 457En existencias
₡36 203,57
₡29 676,94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
3 498En existencias
₡5 922,90
₡3 310,16
₡3 049,93
₡3 013,49
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
8 779En existencias
₡3 429,87
₡1 816,42
₡1 608,24
₡1 441,69
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
602En existencias
₡18 991,78
₡14 723,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1 135En existencias
₡14 526,19
₡9 560,95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
945En existencias
3 510En pedido
₡13 584,15
₡9 576,56
₡8 816,68
₡8 728,20
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
Hoja de datos
244En existencias
₡6 890,96
₡3 825,42
₡3 669,28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
284En existencias
₡10 690,36
₡6 474,59
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
470En existencias
₡10 596,68
₡7 468,68
₡6 136,29
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
149En existencias
₡11 632,40
₡7 208,45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
Hoja de datos
507En existencias
₡14 526,19
₡9 560,95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
Hoja de datos
1 264En existencias
₡5 272,31
₡2 846,95
₡2 623,15
₡2 586,71
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
218En existencias
₡12 730,58
₡8 088,03
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
201En existencias
₡14 880,11
₡10 336,44
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
886En existencias
₡9 285,10
₡5 402,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
526En existencias
₡8 535,63
₡4 850,74
₡4 845,53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
200En existencias
₡7 213,65
₡4 907,99
₡3 986,76
₡3 924,31
₡3 877,47
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
Hoja de datos
168En existencias
₡13 740,29
₡10 711,18
₡9 805,57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Hoja de datos
499En existencias
₡7 364,59
₡4 205,36
₡4 002,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
407En existencias
₡15 025,84
₡10 440,54
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
Hoja de datos
348En existencias
₡10 555,04
₡6 989,85
₡6 927,39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Hoja de datos
1 248En existencias
₡7 879,85
₡4 439,57
₡4 366,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
293En existencias
₡7 640,43
₡4 293,84
₡4 200,16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
472En existencias
₡3 939,92
₡2 113,09
₡1 936,13
₡1 738,35
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms 30 V 5 V 38 nC 500 W HiPerFET Tube