HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
634En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
Hoja de datos
354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
1 251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
Hoja de datos
1 726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A
Hoja de datos
370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
974En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
Hoja de datos
665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
Hoja de datos
170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Hoja de datos
826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Hoja de datos
366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Hoja de datos
49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
32En existencias
300Se espera el 4/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
Hoja de datos
116En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A
Hoja de datos
182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH
Hoja de datos
124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
Hoja de datos
221En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
Hoja de datos
175En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V
Hoja de datos
248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube