TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics SCR 30 Amp 1200 Volt 688En existencias
600Se espera el 9/7/2026
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 30 Amp 800 Volt 793En existencias
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 580En existencias
1 200Se espera el 12/10/2026
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET 911En existencias
960Se espera el 24/8/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds 380En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 527En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds 335En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1 407En existencias
2 125Se espera el 29/6/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 3 027En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 1 252En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 1 556En existencias
1 350Se espera el 18/12/2026
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 1 629En existencias
1 470Se espera el 13/7/2026
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP 6 471En existencias
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Máx.: 120

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN 614En existencias
360Se espera el 16/10/2026
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 629En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ 563En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS 137En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP 406En existencias
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS 74En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A 1 436En existencias
16 000En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 111En existencias
4 200En pedido
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V 28En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V 19En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V 9En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V 30En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3