SCR 30 Amp 1200 Volt
BTW68-1200RG
STMicroelectronics
1:
₡3 461,09
688 En existencias
600 Se espera el 9/7/2026
N.º de artículo de Mouser
511-BTW68-1200
STMicroelectronics
SCR 30 Amp 1200 Volt
688 En existencias
600 Se espera el 9/7/2026
1
₡3 461,09
10
₡1 972,56
100
₡1 644,67
600
₡1 493,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-3P-3
SCR 30 Amp 800 Volt
BTW68-800RG
STMicroelectronics
1:
₡3 325,77
793 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-BTW68-800
STMicroelectronics
SCR 30 Amp 800 Volt
793 En existencias
1
₡3 325,77
10
₡1 894,49
100
₡1 577,01
600
₡1 415,67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-3P-3
SCR 40 Amp 600 Volt
BTW69-600RG
STMicroelectronics
1:
₡3 674,49
580 En existencias
1 200 Se espera el 12/10/2026
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-600
STMicroelectronics
SCR 40 Amp 600 Volt
580 En existencias
1 200 Se espera el 12/10/2026
1
₡3 674,49
10
₡2 440,98
100
₡1 977,77
600
₡1 738,35
1 200
₡1 556,19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFQ20N50P3
IXYS
1:
₡4 231,38
911 En existencias
960 Se espera el 24/8/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ20N50P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
911 En existencias
960 Se espera el 24/8/2026
1
₡4 231,38
10
₡2 357,71
120
₡2 050,63
1 020
₡1 936,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
IXTQ26P20P
IXYS
1:
₡5 516,93
380 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ26P20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
380 En existencias
1
₡5 516,93
10
₡3 768,17
120
₡3 101,97
510
₡2 623,15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
IXTQ52P10P
IXYS
1:
₡5 230,68
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ52P10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
527 En existencias
1
₡5 230,68
10
₡3 143,61
120
₡2 623,15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTQ88N30P
IXYS
1:
₡8 379,49
335 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ88N30P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
335 En existencias
1
₡8 379,49
10
₡5 136,99
120
₡4 731,03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba
1:
₡2 076,66
1 407 En existencias
2 125 Se espera el 29/6/2026
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943N(S1ES)
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
1 407 En existencias
2 125 Se espera el 29/6/2026
1
₡2 076,66
10
₡1 051,34
100
₡832,74
500
₡775,49
1 000
Ver
1 000
₡671,40
5 000
₡645,38
10 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba
1:
₡1 930,93
3 027 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200N(S1ES)
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
3 027 En existencias
1
₡1 930,93
10
₡1 009,70
100
₡801,52
500
₡692,22
1 000
Ver
1 000
₡619,35
5 000
₡588,13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
2SC5359-O(Q)
Toshiba
1:
₡2 446,19
1 252 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5359-O(Q)
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
1 252 En existencias
1
₡2 446,19
10
₡1 618,65
100
₡1 275,14
500
₡1 066,95
1 000
Ver
1 000
₡983,68
2 500
₡817,13
5 000
₡806,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
NJW0281G
onsemi
1:
₡2 321,28
1 556 En existencias
1 350 Se espera el 18/12/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0281G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
1 556 En existencias
1 350 Se espera el 18/12/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
NJW0302G
onsemi
1:
₡2 310,87
1 629 En existencias
1 470 Se espera el 13/7/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0302G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
1 629 En existencias
1 470 Se espera el 13/7/2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
NJW1302G
onsemi
1:
₡3 070,75
6 471 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NJW1302G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
6 471 En existencias
1
₡3 070,75
10
₡2 009,00
120
₡1 498,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
NJW21194G
onsemi
1:
₡2 643,96
614 En existencias
360 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NJW21194G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
614 En existencias
360 Se espera el 16/10/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
2SA1943-O(S1,F
Toshiba
1:
₡2 373,32
629 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943-OS1F
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
629 En existencias
1
₡2 373,32
10
₡1 353,21
100
₡1 103,39
500
₡1 025,32
1 000
Ver
1 000
₡791,11
5 000
₡775,49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
2SC5200-O(S1,F
Toshiba
1:
₡2 425,37
563 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-OS1F
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
563 En existencias
1
₡2 425,37
10
₡1 384,44
100
₡1 129,41
500
₡926,43
1 000
Ver
1 000
₡811,93
5 000
₡801,52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Through Hole
TO-3P-3
IGBTs 600V/30A DIS
360°
+3 imágenes
GT30J121(Q)
Toshiba
1:
₡2 409,75
137 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-GT30J121(Q)
Toshiba
IGBTs 600V/30A DIS
137 En existencias
1
₡2 409,75
10
₡1 592,62
100
₡1 249,12
500
₡921,22
1 000
₡910,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
NJW21193G
onsemi
1:
₡2 643,96
406 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NJW21193G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
406 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
NJW44H11G
onsemi
1:
₡1 930,93
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NJW44H11G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
74 En existencias
1
₡1 930,93
10
₡1 056,54
120
₡858,77
510
₡718,24
1 020
₡634,97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
2SC5200-O(Q)
Toshiba
1:
₡2 258,82
1 436 En existencias
16 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-O(Q)
NRND
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
1 436 En existencias
16 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
1 436 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4 500 Se espera el 7/8/2026
11 500 Se espera el 11/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
1
₡2 258,82
10
₡1 488,53
100
₡988,88
500
₡858,77
1 000
Ver
1 000
₡806,72
2 500
₡744,27
5 000
₡728,65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
SCR 50 Amp 1200 Volt
BTW69-1200RG
STMicroelectronics
1:
₡3 596,42
111 En existencias
4 200 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-1200
STMicroelectronics
SCR 50 Amp 1200 Volt
111 En existencias
4 200 En pedido
Ver fechas
Existencias:
111 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 800 Se espera el 2/9/2026
2 400 Se espera el 12/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
₡3 596,42
10
₡2 061,04
100
₡1 717,54
600
₡1 472,92
1 200
₡1 374,03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
DPG120C300QB
IXYS
1:
₡7 140,79
28 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-DPG120C300QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
28 En existencias
1
₡7 140,79
10
₡4 330,27
120
₡3 815,01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
DPG60C200QB
IXYS
1:
₡4 548,87
19 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C200QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
19 En existencias
1
₡4 548,87
10
₡2 643,96
120
₡2 222,39
510
₡2 102,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
DPG60C300QB
IXYS
1:
₡4 548,87
9 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C300QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
9 En existencias
1
₡4 548,87
10
₡2 643,96
120
₡2 222,39
510
₡2 102,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
DPG60C400QB
IXYS
1:
₡5 053,72
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C400QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
30 En existencias
1
₡5 053,72
10
₡2 966,65
120
₡2 503,44
510
₡2 414,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3