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QPD0011EVB1

Name: Qorvo QPD0011EVB1
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0011EVB1
Price: 507500 CRC
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

772-QPD0011EVB1

Fabricante N.º:

QPD0011EVB1

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Herramientas de desarrollo RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo RF
RoHS:
Producto:	Evaluation Boards
Tipo:	RF Transistor
La Herramienta es para la Evaluación de :	QPD0011
Frecuencia:	3.3 GHz to 3.6 GHz
Marca:	Qorvo
Para utilizar con:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	RF Development Tools
Serie:	QPD0011
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Alias de las piezas n.º:	QPD0011

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Atributos seleccionados: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPD0011EVB1 Evaluation Board

Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.