Reel Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1 217En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
4 795En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
1 957En existencias
4 000Se espera el 9/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
874En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
Hoja de datos
2 589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel, Cut Tape
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2 000
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: 2 000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
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Mult.: 2 000
: 2 000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
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Mult.: 4 000
: 4 000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
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: 2 000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 4 000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 2 000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 2 000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 4 000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 2 000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 4 000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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: 2 000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
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No en existencias
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WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1008204 Reel