Memoria RAM magnetorresistiva

Resultados: 658
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Carrete: 4 000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Carrete: 4 000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 200
Mult.: 300

SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 85 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Carrete: 4 000
WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 365
Mult.: 455

WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 85 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 200
Mult.: 300

SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 105 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
Carrete: 4 000
WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 365
Mult.: 455

WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 105 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Reel