ADL8102 Low Noise Amplifiers

Analog Devices ADL8102 Low Noise Amplifiers are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise, wideband amplifiers. The ADL8102 operates from 1GHz to 22GHz and provides a typical gain of 27dB from 9GHz to 19GHz. The MMICs also feature a 2.5dB typical noise figure from 9GHz to 19GHz, a typical output third-order intercept (OIP3) of 25dBm from 1GHz to 9GHz, and a saturated output power (PSAT) of up to 15.5dBm, which requires only 110mA from a 5V supply voltage.

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 Fabricante:
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Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Figura de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
OIP3: punto de intersección de tercer orden
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF LNA, 10 MHz-20GHz
Hoja de datos
1 292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF LNA, 10 MHz-20GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

1 GHz to 22 GHz 5 V 110 mA 27 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-16 GaAs 23 dBm - 40 C + 85 C ADL8102 Reel