MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors
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177En existencias
250Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
Hoja de datos
559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
Hoja de datos
225En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
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18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 175 MHz 13 dB 60 W + 200 C Screw Mount


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
Hoja de datos
27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
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20Se espera el 24/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
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8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 32 A 65 V 175 MHz 12 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 500 MHz 13.5 dB 20 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 1 A 65 V 500 MHz 18 dB 4 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 249-06 Tray


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
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22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU2810S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 2.8 A 65 V 175 MHz 13 dB 10 W + 200 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 306En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

N-Channel Si 10 mA 65 V 2 Ohms 900 MHz to 2.7 GHz 19.5 dB 5 W + 225 C SMD/SMT SON-10 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 100 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Hoja de datos
90En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 400 MHz 16 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
Hoja de datos
801En existencias
400Se espera el 25/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6 A 125 V 175 MHz 18 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
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190En existencias
80Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount 244-4 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
Hoja de datos
327En existencias
60Se espera el 25/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 400 MHz 12 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
Hoja de datos
253En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 400 MHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
41En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si 1 mA 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
7En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel