Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
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N-Channel
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19.3 dB
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19.3 dB
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65 V
185 mOhms
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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250
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500
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N-Channel
LDMOS
65 V
185 mOhms
2 GHz
17.8 dB
70 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
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30 V
60 mOhms
520 MHz
19.6 dB
55 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
BLP5LA55SZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
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500
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250
₡9 860
500
₡9 297
1 000
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N-Channel
LDMOS
30 V
60 mOhms
520 MHz
19.6 dB
55 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981Z
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N-Channel
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1.4 uA
108 V
23.8 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
BLP9H10-30GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
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1
₡16 466
10
₡12 922
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₡12 018
50
₡12 012
100
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500
₡10 579
100
₡11 455
250
₡11 281
500
₡10 579
1 000
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N-Channel
LDMOS
50 V
1.62 Ohms
616 MHz to 960 MHz
18.3 dB
30 W
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SOT1483-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/TRAYD
BLP9H10S-850AVTZ
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94-BLP9H10S-850AVTZ
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Dual N-Channel
LDMOS
50 V
107 mOhms, 155 mOhms
617 MHz to 960 MHz
17.8 dB
850 W
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
OMP-1230-6F-1-7
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
BLP9LA25SGZ
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94-BLP9LA25SGZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
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1
₡10 718
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₡7 905
50
₡7 900
500
₡6 798
1 000
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100
₡7 360
250
₡7 105
1 000
₡6 693
2 500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
40 V
128 mOhms
941 MHz
18.8 dB
25 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/TO270/REEL
BLP9LA25SXY
Ampleon
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SXY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/TO270/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
N-Channel
LDMOS
40 V
128 mOhms
941 MHz
18.8 dB
25 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
BLP9LA25SZ
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1:
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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1
₡10 527
10
₡8 184
25
₡7 552
100
₡6 989
500
₡6 154
1 000
Ver
250
₡6 861
1 000
₡6 125
2 500
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
40 V
128 mOhms
941 MHz
18.8 dB
25 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
BLS9G2729L-350U
Ampleon
60:
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N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729L-350U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
30 mOhms
2.7 GHz to 2.9 GHz
14 dB
350 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
BLS9G2729LS-350U
Ampleon
60:
₡80 347
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N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729LS-350U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
30 mOhms
2.7 GHz to 2.9 GHz
14 dB
350 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731LS-400U
Ampleon
60:
₡152 766
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731LS-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
30 mOhms
2.7 GHz to 3.1 GHz
13 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934L-400U
Ampleon
60:
₡97 805
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2934L-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
60 mOhms
2.9 GHz to 3.4 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934LS-400U
Ampleon
60:
₡89 981
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2934LS-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
60 mOhms
2.9 GHz to 3.4 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
BLS9G3135L-115U
Ampleon
1:
₡67 628
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135L-115U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
120 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
14 dB
115 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT1135A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
BLS9G3135LS-115U
Ampleon
60:
₡48 384
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135LS-115U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
50 V
120 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
14 dB
115 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1135B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G3135LS-400U
Ampleon
60:
₡154 216
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135LS-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
26 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
BLU9H0408L-800PU
Ampleon
60:
₡123 117
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLU9H0408L-800PU
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
50 V
90 mOhms
400 MHz to 800 MHz
20.5 dB
800 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT539A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
CLF24H4LS300PJ
Ampleon
1:
₡131 735
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PJ
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡131 735
10
₡123 383
100
₡123 383
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
GaN SiC
50 V
2.4 GHz to 2.5 GHz
16 dB
300 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1214B-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
CLL3H0914L-700U
Ampleon
60:
₡430 586
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-CLL3H0914L-700U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
N-Channel
GaN SiC
50 V
35 mOhms
900 MHz to 1.4 GHz
17 dB
700 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502A-3
Tray