Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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CML Micro MWT-PH7F73
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CML Micro MWT-PH9F70
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Reel
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CML Micro MWT-PH9F71
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938-MWT-PH9F71
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GaAs
26 GHz
13 dB
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Reel
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CML Micro MWT-PH9F73
MWT-PH9F73
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938-MWT-PH9F73
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GaAs
26 GHz
13 dB
28 dBm
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Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
PTFA220041M-V4-R1K
MACOM
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941-PTFA220041MV4R1K
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
PTFB241402FC-V1-R250
MACOM
250:
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941-PTFB241402FCR250
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
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Mult.: 250
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
PTFB241402FC-V1-R0
MACOM
50:
₡58 330,60
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941-PTFB241402FCV1R0
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
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Mult.: 50
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
PTNC210604MD-V2-R5
MACOM
500:
₡30 426,80
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941-PTNC210604MDV2R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
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Mult.: 500
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
PTVA082407NF-V2-R5
MACOM
500:
₡40 170,80
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941-PTVA082407NFV2R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
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Min.: 500
Mult.: 500
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
PXAE261908NF-V1-R5
MACOM
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941-PXAE261908NFV1R5
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
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Mult.: 500
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM
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₡429 838,00
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N.º de artículo de Mouser
941-TAPTNC210604MDV2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
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1
₡429 838,00
10
₡382 695,60
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Mult.: 1
Detalles
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM
1:
₡429 838,00
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N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA082808NFV1
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LTA/PTRA082808NF-V1
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₡429 838,00
10
₡382 695,60
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Mult.: 1
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Bulk