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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
1: ₡1 832,80
1 956En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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Hoja de datos

1 956En existencias

Cinta cortada

₡1 832,80

₡1 194,80

₡829,40

₡701,80

₡655,40

Envase tipo carrete

₡655,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 200,60
5 672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

Hoja de datos

5 672En existencias

Cinta cortada

₡1 200,60

₡765,60

₡518,52

₡412,38

₡379,32

Envase tipo carrete

₡360,76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 107,80
5 207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

5 207En existencias

Cinta cortada

₡1 107,80

₡707,60

₡468,64

₡383,96

₡336,40

Envase tipo carrete

₡305,08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

108 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 513,80
2 800En existencias

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STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2 800En existencias

Cinta cortada

₡1 513,80

₡968,60

₡661,20

₡537,08

₡484,30

Envase tipo carrete

₡476,18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 374,60
1 787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1 787En existencias

Cinta cortada

₡1 374,60

₡887,40

₡603,20

₡490,68

₡443,12

Envase tipo carrete

₡436,16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
1: ₡2 128,60
5 403En existencias

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STL260N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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Cinta cortada

₡2 128,60

₡1 397,80

₡980,20

₡858,40

₡800,40

Envase tipo carrete

₡800,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 165,80
4 204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL117N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL117N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

4 204En existencias

Cinta cortada

₡1 165,80

₡748,20

₡515,62

₡437,32

₡365,40

Envase tipo carrete

₡347,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27.6 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

STL225N6F7AG
STMicroelectronics
1: ₡2 128,60
9 036En existencias

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STL225N6F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL225N6F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

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Cinta cortada

₡2 128,60

₡1 397,80

₡980,20

₡858,40

₡823,60

Envase tipo carrete

₡800,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 856,00
1 212En existencias
3 000Se espera el 24/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

1 212En existencias

3 000Se espera el 24/8/2026

Cinta cortada

₡1 856,00

₡1 212,20

₡846,80

₡719,20

₡684,40

Envase tipo carrete

₡667,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 241,20
3 000Se espera el 17/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL10N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Hoja de datos

3 000Se espera el 17/3/2026

Cinta cortada

₡1 241,20

₡794,60

₡537,66

₡428,62

₡400,78

Envase tipo carrete

₡381,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

4.5 A

1 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL18N60M6
STMicroelectronics
3 000: ₡812,00
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

₡812,00

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

308 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL19N3LLH6AG
STMicroelectronics
3 000: ₡240,70
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL19N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL19N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

₡240,70

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL22N60M6
STMicroelectronics
3 000: ₡684,40
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL22N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL22N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

₡684,40

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL12N60M6
STMicroelectronics
3 000: ₡468,06
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

₡468,06

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

490 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M6
STMicroelectronics
3 000: ₡707,60
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

₡707,60

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel

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