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STP150N10F7AG

Name: STMicroelectronics STP150N10F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP150N10F7AG
Price: 2610 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP150N10F7AG

Fabricante N.º:

STP150N10F7AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 610,00	₡2 610,00
	₡1 490,60	₡14 906,00
	₡1 386,20	₡138 620,00
	₡1 148,40	₡574 200,00
	₡1 073,00	₡1 073 000,00
	₡933,80	₡2 334 500,00
10 000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	117 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	33 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	57 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	72 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.