GaN FETs Redesign of QPD1004
QPD1004ASR
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GaN FETs Redesign of QPD1004
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
IXTX400N20X4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
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78-SQRS160EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
TPM1R408RH,LQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
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78-SQJ461EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R040M2HXKSA1
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240 Se espera el 31/5/2027
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726-IMZA75R040M2HXKS
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
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240 Se espera el 31/5/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
IMBG75R011M2HXTMA1
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
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Diodos Zener ZENER DIODE DO214
BZG03C27-HM3_A-08
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78-BZG03C27-HM3_A-08
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Vishay Semiconductors
Diodos Zener ZENER DIODE DO214
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Diodos Zener ZENER DIODE DO214
BZG05C5V1-M3_A-08
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78-BZG05C5V1-M3_A-08
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Vishay Semiconductors
Diodos Zener ZENER DIODE DO214
6 860 En existencias
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Rectificadores 50A,1200V,DO-218ABRectifier
SE50124-M3/I
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78-SE50124-M3/I
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Rectificadores 50A,1200V,DO-218ABRectifier
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
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78-SQJ858AEP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2 690 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
740 En existencias
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Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
BZX384C13-HE3_A08
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78-BZX384C13-HE3_A08
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Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
7 820 En existencias
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Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
GDZ11B-HE3_A08
Vishay
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14 335 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-GDZ11B-HE3_A08
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Vishay
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
14 335 En existencias
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
GDZ6V2B-HE3_A08
Vishay
1:
₡281,05
10 927 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-GDZ6V2B-HE3_A08
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Vishay
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
10 927 En existencias
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₡281,05
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Rectificadores 30A,600V,eCoolSMPD,STDRECT
SE30CLJ-M3/I
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SE30CLJ-M3/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores 30A,600V,eCoolSMPD,STDRECT
1 050 En existencias
1
₡1 275,14
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Mult.: 1
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Rectificadores Rectifier, 1200V, 2A, Hyperfast, SMPC HV, FRED Gen7, Large Creepage Distance
VS-E7SX0212-M3V/I
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4 550 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-VS-E7SX0212-M3V/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores Rectifier, 1200V, 2A, Hyperfast, SMPC HV, FRED Gen7, Large Creepage Distance
4 550 En existencias
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₡140,53
13 000
₡111,38
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₡96,29
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Mult.: 1
Carrete :
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
IPB018N10NM8ATMA1
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726-IPB018N10NM8ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
696 En existencias
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₡2 498,23
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Mult.: 1
Carrete :
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