Semiconductores discretos – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
1: ₡109,30
621 145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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₡109,30

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SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 254,32
4 315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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₡1 254,32

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₡551,69

₡436,67

₡408,57

Envase tipo carrete

₡370,57

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 212,68
1 682En existencias

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TK15S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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₡1 212,68

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Envase tipo carrete

₡356,52

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: ₡1 519,76
2 070En existencias

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TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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₡1 519,76

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: ₡307,07
79 918En existencias
126 000Se espera el 12/6/2026

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SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: ₡234,21
43 941En existencias
42 000Se espera el 8/6/2026

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SSM3J356R,LF

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757-SSM3J356RLF

Toshiba

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SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
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SSM3K2615R,LF

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757-SSM3K2615RLF

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₡158,22

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SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
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18 889En existencias

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SSM3K318R,LF

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757-SSM3K318RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
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37 150En existencias
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SSM3K341R,LF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: ₡426,78
49 549En existencias
30 000Se espera el 8/6/2026

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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: ₡192,57
4 177En existencias

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SSM3J377R,LF

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757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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SMD/SMT

SOT-23F-3

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SSM3J378R,LF
Toshiba
1: ₡223,80
5 494En existencias

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SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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₡223,80

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: ₡400,76
5 127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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₡93,16

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SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: ₡197,78
18 084En existencias
72 000Se espera el 8/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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72 000Se espera el 8/6/2026

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₡197,78

₡122,31

₡77,03

₡57,25

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₡42,16

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: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: ₡296,67
6 744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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₡296,67

₡183,72

₡117,10

₡87,96

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₡79,63

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: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: ₡395,55
2 506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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2 506En existencias

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₡395,55

₡245,66

₡158,22

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₡103,57

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: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 046,14
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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₡1 046,14

₡666,20

₡448,12

₡354,96

Envase tipo carrete

₡296,14

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: 2 000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: ₡93,68
104 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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₡93,68

₡57,25

₡35,39

₡26,02

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₡12,49

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: 8 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-523-2

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: ₡791,11
12 000Se espera el 17/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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12 000Se espera el 17/7/2026

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₡791,11

₡499,13

₡331,54

₡259,19

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₡216,51

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: 2 000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: ₡447,60
2 903En existencias
18 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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2 903En existencias

18 000En pedido

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₡447,60

₡273,76

₡175,40

₡133,24

Envase tipo carrete

₡84,32

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: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: ₡385,14
5 001En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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Cinta cortada

₡385,14

₡236,81

₡152,50

₡115,54

Envase tipo carrete

₡88,48

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: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: ₡150,93
15 033Se espera el 8/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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15 033Se espera el 8/6/2026

Cinta cortada

₡150,93

₡96,29

₡60,37

₡44,76

Envase tipo carrete

₡32,27

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: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: ₡390,35
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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No en existencias

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₡390,35

₡240,46

₡154,58

₡117,63

Envase tipo carrete

₡90,04

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Mult.: 1

: 3 000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6 000: ₡55,17
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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₡55,17

₡48,92

₡36,43

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Mult.: 6 000

: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

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