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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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2 086En existencias
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: 3 000

onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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693En existencias
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Máx.: 40
: 800

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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1 050En existencias
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: 1 500

STMicroelectronics Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver 700En existencias
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: 3 000

Infineon Technologies Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
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1 000En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
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686En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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716En existencias
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: 6 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
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2 083En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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1 736En existencias
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: 5 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
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5 875En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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2 310En existencias
3 000Se espera el 7/6/2027
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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110En existencias
3 000Se espera el 29/1/2027
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Máx.: 50
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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700En existencias
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: 3 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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1 743En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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1 673En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
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1 400En existencias
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: 2 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
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393En existencias
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: 1 800
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2 079En existencias
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Máx.: 180
: 3 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
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1 801En existencias
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Máx.: 400
: 3 000

TDK-Lambda Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
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40En existencias
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IXYS Módulos MOSFET 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
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452En existencias
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Silicon Labs System on a Chip (SoC) RF BG24L, 2.4 GHz, 768kB Flash, 96kB RAM, +10 dBm, +85C, QFN40
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2 598En existencias
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: 2 500

Pasternack Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
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5En existencias
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Silicon Labs System on a Chip (SoC) RF BG24L, 2.4 GHz, 768kB Flash, 96kB RAM, +10 dBm, +85C, QFN40
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4 988En existencias
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: 2 500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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6 387En existencias
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