Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
ADF4383BCCZ
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584-ADF4383BCCZ
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Circuitos de sincronización en fase (PLL) PLLVCO, 656MHz-21GHz
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System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
ESP32-D0WDRH2-V3
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356-ESP32-D0WDRH2-V3
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System on a Chip (SoC) RF ESP32 is a single 2.4 GHZ Wi-Fi-and-Bluetooth combo chip designed with the TSMC low-power 40 nm technology. It is designed to achieve the best power and RF performance, showing robustness, versatility and reliability in a wide variety of applications
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
TPM1R408RH,LQ
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757-TPM1R408RHLQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
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139-PMA2-123LNW+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
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726-ISC034N08NM7ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
2 197 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
IXTX400N20X4
IXYS
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747-IXTX400N20X4
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
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726-IAUCN08S7N036TAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN10S7L040ATMA1
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726-IAUCN10S7L040ATM
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
5 421 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
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78-SQRS160EP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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₡1 092,98
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₡713,04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
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726-ISC024N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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5 000
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Rectificadores y diodos Schottky 12A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS12PH102HM3/I
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78-SS12PH102HM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 12A,100VG2PSKYSMPCRect.
4 550 En existencias
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₡122,83
19 500
₡111,90
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Rectificadores y diodos Schottky 15A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS15PH102-M3/I
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4 515 En existencias
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78-SS15PH102-M3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 15A,100VG2PSKYSMPCRect.
4 515 En existencias
1
₡593,33
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2 500
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19 500
₡98,89
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6 500
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
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₡640,17
5 112 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SS5PH102HM3/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
5 112 En existencias
1
₡640,17
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2 500
₡113,98
13 000
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19 500
₡70,26
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6 500
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
MASW-011249
MACOM
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₡37 614,03
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137 Se espera el 6/7/2026
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937-MASW-011249
Nuevo producto
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF PIN Diode SPDT 200 W High Power Switch; 0.01 - 7.0 GHz
15 En existencias
137 Se espera el 6/7/2026
1
₡37 614,03
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250
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
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₡499,65
5 184 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SS8PH102HM3/I
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
5 184 En existencias
1
₡499,65
10
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1 000
₡128,55
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₡115,02
13 000
₡91,60
19 500
₡83,27
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Mult.: 1
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6 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Renesas Electronics
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1 400 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
968-40N10EANS5UA11HB
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Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
1 400 En existencias
1
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Ver
1 000
₡288,86
6 000
₡245,66
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1:
₡962,86
2 015 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
968-E111N10R1SZN2HB0
Nuevo producto
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
2 015 En existencias
1
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Ver
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₡283,65
6 000
₡240,46
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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₡957,66
2 690 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2 690 En existencias
1
₡957,66
10
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₡305,51
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Ver
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24 000
₡178,00
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Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 998,59
740 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
740 En existencias
1
₡1 998,59
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₡952,45
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₡796,31
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Ver
800
₡733,86
2 400
₡687,01
5 600
₡624,56
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Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
ADL8120ACPZN-CSL
Analog Devices
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₡142 118,28
3 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
584-ADL8120ACPZN-CSL
Nuevo producto
Analog Devices
Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
3 En existencias
1
₡142 118,28
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₡122 215,69
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₡117 266,06
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102-M3/I
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N.º de artículo de Mouser
78-SS8PH102-M3/I
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