Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
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IGBT Transistors
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D2PAK-3
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STGD6M65DF2
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IGBT Transistors
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IGBTs 600V 65A N-Channel
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IGBT Transistors
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Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
STH310N10F7-6
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TO-263-7
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
STL105N8F7AG
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Si
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PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL13N60DM2
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Si
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PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
STL47N60M6
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
STL70N4LLF5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
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₡485
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Si
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PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
STL7N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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₡882
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₡557
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₡265
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Lo-Volt Fast Sw
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STN851
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Lo-Volt Fast Sw
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₡327
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
STP12NK80Z
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511-STP12NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
1 269 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP140N6F7
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511-STP140N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
6 632 En existencias
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₡667
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
STP18N55M5
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511-STP18N55M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
2 190 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
STP25N80K5
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511-STP25N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
728 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
STP28NM60ND
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511-STP28NM60ND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
990 En existencias
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₡3 463
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₡2 036
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP36N60M6
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N.º de artículo de Mouser
511-STP36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
966 En existencias
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₡1 984
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
STP9NK90Z
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N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK90Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
1 897 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 60 Volt
STPS3060CW
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N.º de artículo de Mouser
511-STPS3060CW
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 60 Volt
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-247-3