STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V Unidirect 19 811En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi 12 559En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil 7 388En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 13V Unidirect 50 978En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 20V Bidirect 71 865En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 5.0V Bidirect 11 679En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II 4 220En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp 1 547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A 2 109En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH 7 145En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp 2 800En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3 569En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

STMicroelectronics Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL 10 416En existencias
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Darlington Transistors SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 920En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet 938En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 811En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 3 127En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 1 102En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp 3 046En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT 467En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 598En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 940En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V 3 632En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V 2 858En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 4 235En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8