STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W 28kW Transil 15V to 33V Bi
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 18V Bidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 220V Bidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V Bidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 22V Unidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 36 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TRANSIL
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
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2 303En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
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4 753En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
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5 856En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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18 609En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
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IGBT Transistors Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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2 895En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7