Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF40N65M2
STMicroelectronics
1:
₡2 250
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511-STF40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1 102 En existencias
1
₡2 250
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₡1 560
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGD7NC60HT4
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511-STGD7NC60H
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IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
3 046 En existencias
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
STGIPN3H60A
STMicroelectronics
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467 En existencias
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511-STGIPN3H60A
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
467 En existencias
1
₡4 692
10
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476
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2 856
₡2 285
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IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
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STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
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598 En existencias
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511-STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
598 En existencias
1
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10
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600
₡2 059
3 000
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₡2 047
5 400
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
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511-STH240N10F7-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
940 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
STIEC45-30AS
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2 132 En existencias
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511-STIEC45-30AS
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
2 132 En existencias
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₡1 525
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₡725
2 500
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SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1:
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2 858 En existencias
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511-STL140N4LLF5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2 858 En existencias
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₡580
1 000
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₡580
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
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4 235 En existencias
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511-STL160N4F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4 235 En existencias
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₡384
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₡308
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₡351
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₡307
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL260N4F7
STMicroelectronics
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5 403 En existencias
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511-STL260N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
5 403 En existencias
1
₡2 129
10
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₡789
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₡696
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
STMicroelectronics
1:
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4 483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
4 483 En existencias
1
₡2 877
10
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5 000
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5 000
₡1 259
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
STMicroelectronics
1:
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708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
708 En existencias
1
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1 000
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1 000
₡1 868
10 000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
STMicroelectronics
1:
₡2 047
1 426 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1 426 En existencias
1
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1 000
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1 000
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2 000
₡1 021
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
STMicroelectronics
1:
₡4 060
1 008 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
1 008 En existencias
1
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10
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500
₡2 158
1 000
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1 000
₡1 746
2 000
₡1 665
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
STMicroelectronics
1:
₡2 216
1 935 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1 935 En existencias
1
₡2 216
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1 000
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1 000
₡748
2 000
₡737
5 000
₡725
10 000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 40 V, 10 A dual Low Vf Power Schottky Rectifier
+1 imagen
STPS10L40CSF
STMicroelectronics
1:
₡708
11 083 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS10L40CSF
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 40 V, 10 A dual Low Vf Power Schottky Rectifier
11 083 En existencias
1
₡708
10
₡443
100
₡280
500
₡219
1 000
₡187
6 000
₡158
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
Rectificadores y diodos Schottky 20 Amp 15 Volt
STPS20L15G-TR
STMicroelectronics
1:
₡1 143
10 833 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20L15G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 20 Amp 15 Volt
10 833 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 143
10
₡690
100
₡538
500
₡428
1 000
₡334
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A 3-lead single Low Leakage Power Schottky rectifier
360°
+4 imágenes
STPS20SM120ST
STMicroelectronics
1:
₡922
3 386 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20SM120ST
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A 3-lead single Low Leakage Power Schottky rectifier
3 386 En existencias
1
₡922
10
₡310
100
₡294
500
₡272
1 000
Ver
1 000
₡251
2 000
₡249
5 000
₡240
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-220AB-3
Rectificadores y diodos Schottky 8.0 Amp 100 Volt
STPS8H100G-TR
STMicroelectronics
1:
₡354
4 798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPS8H100G-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 8.0 Amp 100 Volt
4 798 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡354
10
₡277
100
₡264
500
₡251
1 000
₡233
2 000
₡222
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
STMicroelectronics
1:
₡969
3 793 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3 793 En existencias
1
₡969
10
₡615
100
₡410
500
₡323
2 500
₡274
5 000
Ver
1 000
₡295
5 000
₡237
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
STMicroelectronics
1:
₡551
16 886 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS6NF20V
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16 886 En existencias
1
₡551
10
₡342
100
₡223
500
₡173
2 500
₡137
5 000
Ver
1 000
₡156
5 000
₡121
25 000
₡108
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Rectificadores Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode
STTH30AC06CWL
STMicroelectronics
1:
₡2 030
1 145 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH30AC06CWL
STMicroelectronics
Rectificadores Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode
1 145 En existencias
1
₡2 030
10
₡795
100
₡737
600
₡684
1 200
Ver
1 200
₡655
10 200
₡650
25 200
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
Through Hole
TO-247-3
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
STTH3R02S
STMicroelectronics
1:
₡336
17 060 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH3R02S
STMicroelectronics
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
17 060 En existencias
1
₡336
10
₡212
100
₡157
500
₡119
2 500
₡70,2
5 000
Ver
1 000
₡106
5 000
₡67,3
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
SMD/SMT
SMC
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
STTH802B-TR
STMicroelectronics
1:
₡447
10 422 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH802B-TR
STMicroelectronics
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
10 422 En existencias
1
₡447
10
₡308
100
₡240
500
₡184
1 000
₡167
2 500
₡118
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Rectifiers
SMD/SMT
D-PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 230
2 414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2 414 En existencias
1
₡1 230
10
₡556
100
₡500
500
₡421
3 000
₡329
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
STMicroelectronics
1:
₡1 699
1 749 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1 749 En existencias
1
₡1 699
10
₡731
100
₡673
500
₡609
1 000
Ver
1 000
₡526
3 000
₡513
24 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3